R&D

Нитрид галлия (GaN) – это прямозонный полупроводник с шириной зоны 3.4 эВ и высокой подвижностью электронов. Твердые растворы на основе GaN позволяют получить материал с шириной запрещенной зоны от 0.7 эВ до 6.0 эВ. На основе GaN производятся светодиоды и лазеры, работающие в видимом и УФ диапазоне, а также силовые и сверхвысокочастотные (СВЧ) приборы.